「有機EL討論会」第41回例会

有機EL討論会 第41回例会 開催プログラム


日 時    2025年11月20日(木),21日(金) 
会 場 なら100年会館 2階 中ホール(奈良市)

 



 

 
11月20日(木) 20周年記念シンポジウム 13:00~20:00

20周年記念シンポジウム 開会

13:00 ~ 13:05 20周年記念シンポジウム 開会の辞

村田 英幸 代表(北陸先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科) 

L1:記念講演

座長: 八尋 正幸(公益財団法人九州先端科学技術研究所 有機光デバイスグループ) 

L1-1 13:05 ~ 13:35

「有機ELの60年、有機EL討論会の20年、そしてこれから」
筒井 哲夫(九州大学 名誉教授)
 

L1-2 13:35 ~ 14:15

「AMOLEDの事業化に従事して」
浜田 祐次(有機電子技研)
 

14:15 ~ 14:25 休憩 ( 10分 )

L2:記念講演

座長: 八尋 正幸(公益財団法人九州先端科学技術研究所 有機光デバイスグループ) 

L2-1 14:25 ~ 15:25

「In-silico OLEDs」
梶 弘典(京都大学 化学研究所)
 

15:25 ~ 15:50 休憩 ( 25分 )

L3:記念講演

座長: 中野谷 一 (北海道大学 電子科学研究所) 

L3-1 15:50 ~ 16:40

「高輝度有機ELが切り拓く高速光通信と電流駆動レーザー」
吉田 巧(University of St Andrews, UK)
 

L3-2 16:40 ~ 17:30

「走査トンネル顕微鏡で観る単一分子の光機能」
今田 裕(Gwangju Institute of Science and Technology, Korea)
 

20周年記念シンポジウム 閉会

17:30 ~ 17:35 20周年記念シンポジウム 閉会の辞

中野谷 一 実行委員長 (北海道大学 電子科学研究所) 


17:35~ 18:00 移動 (25分 )

交流会 

18:00 ~ 20:00  交流会

司会: 中野谷 一 実行委員長 (北海道大学 電子科学研究所) 

 
 
11月21日(金) 9:15~16:00 

表彰式

司会:熊 均(出光興産株式会社 次世代技術研究所) 

9:15 ~ 9:25

表彰制度の紹介

 S1:特別講演

座長: 梅田 時由(シャープ株式会社 パネルセミコン研究所) 

S1-1 9:25 ~ 10:05

「超フレキシブルエレクトロニクスに向けて」
中村 雅一(奈良先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科) 

S1-2 10:05 ~ 10:25

「ディスプレイ関連のご講演を調整中」
調整中 

A1:企業展示広告

座長:髙 秀雄(コニカミノルタ株式会社 技術開発本部)
A1-1 10:25 ~ 10:29
「J.A.Woollam社製 微小スポット分光エリプソメーターのご紹介」
ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社
A1-2 10:29 ~ 10:33
「今後のディスプレイ産業における UBI Research の貢献」
UBI Research
A1-3 10:33 ~ 10:37
「Fluxim製品のご紹介」
サイバネットシステム株式会社
A1-4 10:37 ~ 10:41
「DCM1000 DC-JVL測定システム」
TOYOTech LLC
A1-5 10:41 ~ 10:45
「グローブBOXの新規 活性炭再生システム」
株式会社エイエルエステクノロジー
A1-6 10:45 ~ 10:49
「OLED素子製作と評価プラットフォームのご紹介」
公益財団法人福岡県産業・科学技術振興財団
A1-7 10:49 ~ 10:53
「有機EL材料向け重水素標識化合物」
大陽日酸株式会社
A1-8 10:53 ~ 10:57
「有機ELに関する分析技術」
株式会社東レリサーチセンター

11:00 ~ 11:20 休憩 ( 20分 )

S2:学生口頭発表(デバイス解析・材料)

座長: 伊澤 誠一郎(東京科学大学 総合研究院) 

S2-1 11:20 ~ 11:35

「発光・発電素子における自発配向分極の影響」
京極 晴太(千葉大学 大学院融合理工学府) 
要旨  光電相互変換技術は多分野で中核的な役割を果たしているが、発電(電荷の分離)と発光(電荷の再結合)の性能を高い次元で両立することは困難であった。高性能化にはpn界面での励起子・電荷挙動の理解が不可欠であり、その影響要因の一つが、極性分子を真空蒸着した際に形成される自発配向分極(SOP)である。本研究では、類似構造でSOPが異なる分子を用い、発電効率向上・発光効率低下がSOP層膜厚に依存して生じることを確認した。

S2-2 11:35 ~ 11:50

「アルミニウムとアクセプター分子との相互作用を利用した高仕事関数電極の開発と
    単純構造OLEDへの応用」
田附 冬帆(千葉大学 大学院融合理工学府) 
要旨  発光・発電素子に用いられる各種半導体材料のイオン化エネルギーと同等の仕事関数(Φ)を持つ電極の開発は,デバイス性能の向上に不可欠である.本研究では,数種のアクセプター分子をITO上およびAl上に成膜し,Φ変化を系統的に評価した.その結果,一部の分子では,Al上で1 eV以上の顕著なΦの増加が確認された.本発表では,これらの評価結果を提示するとともに,得られた高Φ電極をOLEDの電極として応用した結果を報告する.

S2-3 11:50 ~ 12:05

「OLEDにおけるexciplex発光に対する重水素置換効果」
長嵜 優斗(九州大学 最先端有機光エレクトロニクス研究センター) 
要旨  重水素置換体を用いたexciplexは、熱活性型遅延蛍光(TADF)性および重水素置換による化学的安定化などの特性向上が可能なことから、有機EL素子(OLED)の高性能化につながると期待される。しかし、重水素置換分子系におけるexciplexを用いたOLEDに関する報告はわずか一例のみであり、その詳細な光物理過程は明らかではない。そこで本研究では、ドナーの重水素置換が、ドナーアクセプター共蒸着薄膜のexciplex発光特性に及ぼす影響について検討した。

12:05 ~ 13:45 昼食 ( 100分 )

S3:材料・デバイス

座長: 遠藤 礼隆(株式会社Kyulux 開発部) 

S3-1 13:45 ~ 14:05

「有機EL材料設計における機械学習の活用の可能性」
大西 敏博(大阪大学 産業科学研究所) 
要旨  材料を構成するフラグメント群から目的の物性値を示す分子を再構築するプログラムを有機EL材料に適用してみた。本報告では、物性値として熱活性遅延蛍光材料ではΔESTと蛍光波長を、蛍光材料では蛍光量子収率と蛍光波長を選び、化学構造と物性値を機械学習させた。目的物性値を示す材料を不十分ながら再構築出来たことから、材料の設計に用いることが可能であると考えられる。

S3-2 14:05 ~ 14:25

「近赤外2光子吸収と熱活性化遅延蛍光を両立する新規発光材料の開発とOLEDへの応用」
千歳 洋平(九州大学 最先端有機光エレクトロニクス研究センター) 
要旨  2光子吸収と熱活性化遅延蛍光(TADF)の両立は、従来分子設計上困難とされてきた。本研究では、ドナー-アクセプター構造の精密制御により電荷移動(CT)と局所励起(LE)のバランスを最適化する新たな戦略を提案した。その結果、高い2光子吸収断面積と効率的なTADF発光を同時に実現する分子を開発し、単一分子でOLEDの高性能化と高感度イメージングへの応用可能性を示した。

S3-3 14:25 ~ 14:45

「双極子層を用いた薄膜界面修飾によるOLED特性の向上」
田中 正樹(東京農工大学 大学院工学研究院) 
要旨  OLED内の各種界面における電荷注入は、デバイスの駆動電圧や電荷バランスに影響する。本研究では、電荷注入改善を志向して、比較的大きなHOMO準位差を有する正孔輸送層界面に、数nmの自発配向分極層を挿入したOLEDを作製し、分極層膜厚がデバイス特性に与える影響を評価した。界面における双極子層の形成により駆動電圧は低下し、双極子層を挿入しないデバイスに対して電流効率は、最適な膜厚において約35%向上した。

 閉会


14:45 ~ 14:50 閉会の辞

福島 大介 副実行委員長 (住友化学株式会社 先端材料開発研究所)
 

ポスター討論 

14:50~ 16:00    S2S3

 

【講演形式について】本討論会における各講演発表は下記①~⑤のいずれかの講演形式で行います。
①記念講演(30分~60分) 
②特別講演(20分~40分))  
《一般講演》
③一般口頭発表(20分:質疑応答含む)とポスター討論(70分)
④学生口頭発表(15分:質疑応答含む)とポスター討論(70分)

【ポスター討論について】講演者と参加者の討論を促すため、一般講演における筆頭発表者が講演会終了後に参加者と討論する場(ポスター討論)を設けます。余裕のある時間とリラックスした雰囲気の中で行われる活発な討論に是非ご参加ください。
企業展示法人会員8社による展示ブースを設けます。
交流会1日目の例会終了後に交流会を開催します。
【講演奨励賞対象者について】一般口頭発表およびショート口頭発表における35歳以下の筆頭発表者が講演奨励賞の対象になります。
【学生講演奨励賞対象者について】学生口頭発表における筆頭発表者が学生講演奨励賞の対象になります。