講演情報
[B-10A_B-13-11]マルチコアファイバとSi 導波路の多層光導波路構造を用いた斜め方向結合に関する検討
〇西川 大智1、植松 卓威1、廣田 栄伸1、半澤 信智1 (1. NTT株式会社)
キーワード：
マルチコアファイバ、シリコン導波路
ネットワークスイッチの高集積化に伴い，多数のファイバ配線が課題となるため，MCFに対応した低損失接続構造が求められている．本研究では，Si導波路に対してMCFを斜めに結合する構造とし，スポットサイズ不整合を低減するために多層（2層・3層）導波路を提案した．シミュレーションの結果，3層構造ではスポットサイズを段階的に変換できるため，広帯域にわたり結合損失を約1.0 dBまで低減できることを確認した．一方で，斜め結合においてはTM波の電場分布が大きく変形し結合係数が低下するため，TE波との損失差が増加した．特にSiOx導波路の導入により電場分布が広がることで，この差がより顕著になることが示された．