[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

9:45 〜 10:00

[C-3_C-4-32] サブミリメートル級 a-Si 装荷型スローライト TFLN 光変調器の設計

〇川原 啓輔¹、三浦 和也¹、堀川 剛¹、Moataz Eissa¹、大礒 義孝¹、矢島 隆雅²、片桐 佳来²、西山 伸彦^1,3 (1. 東京科学大学、2. NGK株式会社、3. 東京科学大学次世代半導体エコシステム共創センター)

キーワード：

光変調器、薄膜ニオブ酸リチウム、スローライト、光集積回路、光電融合

マルチTb/s級の光インターコネクションに向け，薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）Mach-Zehnder光変調器が注目されている．しかし，低電圧化には数 cm 程度の移相器長を要し，素子面積や RF 損失の増大が課題となっている．Si 光変調器では，スローライト構造により光と物質の相互作用を強めることで，数百 µm長の短い移相器をもつ高効率光変調器が報告されている．同様の短尺化は TFLN でも有効と考えられるが，LN への微細構造形成は容易でない．我々はこれまでに，a-Si装荷により LN エッチングフリーかつ強い光閉じ込めを得る TFLN 導波路を提案し，光導波の実証，速度整合電極の設計，および高速変調特性の解析を進めてきた．本研究では，a-Si 装荷型 TFLN を用いたスローライト光変調器を設計し，V_πL < 1 V の高効率と200 GHz級の広帯域を両立し得る見通しを得たので報告する．