講演情報
[C-3_C-4-34]高速・差動駆動に向けたSi上メンブレンInP系EA変調器
〇若葉 昌布1、白石 正彦1、水船 皓司1、古庄 裕也1、平田 宗雅1、茂木 孝史1、木本 竜也1、西崎 健将1、高井 祐朔1、米山 翔1、長島 和哉1、那須 秀行1、神徳 正樹1、開 達郎2,3、藤井 拓郎2,3、相原 卓磨2,3、佐藤 具就2,3、松尾 慎治2,3 (1. 古河電気工業株式会社、2. NTT株式会社先端集積デバイス研究所、3. NTT 株式会社デバイスイノベーションセンタ)
キーワード：
変調器
メンブレンInP系EA変調器の構造および差動駆動による高速伝送特性について紹介する．本デバイスを用いてサブアセンブリを作製し320 Gb/s PAM4 差動信号にて駆動した結果，良好な光アイダイアグラムが得られた．低容量・広帯域特性とフリップチップ実装との適性を兼ね備え，差動入出力ドライバICなどのEICとの親和性が高いことを示した．