講演情報
[C-3_C-4-35]QWI-MQW導波路を用いた5µm長メンブレンDRレーザの室温連続発振
〇菅野 絵理奈1、藤井 拓郎1、武田 浩司、松尾 慎治1 (1. NTT)
キーワード：
半導体レーザ
情報通信トラフィックの増加に伴い、チップ間光インターコネクト向けの超低消費電力光源の実現が求められている。我々は活性層長の短縮によるメンブレンレーザの低消費電力化に取り組んでおり、これまでにInGaAsP導波路を用いたDBRレーザにおいて活性層長5 µmでの室温連続発振を実現した。一方、InGaAsP導波路構造では再成長プロセスが必要となるため、製造プロセスの複雑化が課題であった。本研究では、量子井戸無秩序化（QWI）技術を用いて同一エピタキシャル構造上に活性領域および導波路領域を形成したQWI-MQW導波路を適用し、λ/4位相シフト分布反射型（DR）メンブレンレーザを作製した。活性層長5 µmのデバイスにおいて、しきい値電流0.19 mAでの室温連続発振を確認するとともに、発振波長1566.0 nmにおいてシングルモード発振を実証した。これらの結果より、QWI-MQW導波路を用いたDRメンブレンレーザが、短距離光インターコネクト向け超低消費電力光源として有望であることを示した。