1990 International Conference on Solid State Devices and Materials
1990年8月22日〜8月24日Hotel Sendai Plaza, Sendai, Japan
1990 International Conference on Solid State Devices and Materials
1990年8月22日〜8月24日Hotel Sendai Plaza, Sendai, Japan
[B-2-1]GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Device and IC Technology for High-Performance Analog/Microwave, Digital, and A/D Conversion Applications
Michael E. KIM、A. K. OKI、D. K. UMEMOTO、L. T. TRAN、L. M. PAWLOWICZ、K. W. KOBAYASHI、P. C. GROSSMAN、D. C. STREIT、K. S. STOLT、M. E. HAFIZI、J. B. CAMOU、R. ESFANDIARI、B. L. NELSON、B. K. OYAMA、B. R. ALLEN(1.TRW Inc., Electronics and Technology Division)
