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[Mo-P-44]Characterization of 6-inch 4H-SiC Non-Epitaxial Engineered
Substrates

*Hitesh Jayaprakash1,2,3, Alexander Schmid4, Thomas Behm4, Constantin Csato2, Florian Krippendorf2, Michael Rueb2,3 (1. Freidrich Alexander Universität, Erlangen (Germany), 2. mi2-factory GmbH (Germany), 3. Ernst-Abbe-Hochschule, Jena (Germany), 4. Technische Universität Bergakademie Freiberg (Germany))