Presentation Information
[Mo-P-44]Characterization of 6-inch 4H-SiC Non-Epitaxial Engineered
Substrates
*Hitesh Jayaprakash1,2,3, Alexander Schmid4, Thomas Behm4, Constantin Csato2, Florian Krippendorf2, Michael Rueb2,3 (1. Freidrich Alexander Universität, Erlangen (Germany), 2. mi2-factory GmbH (Germany), 3. Ernst-Abbe-Hochschule, Jena (Germany), 4. Technische Universität Bergakademie Freiberg (Germany))
