[G] Catalysis, Wet Surface Treatments, Plating

2:25 PM - 2:40 PM JST(5:25 AM - 5:40 AM UTC)

[437] 無電解プロセスを利用したSiC基板上へのPd微粒子触媒の担持とNi-Pめっき膜の形成

*FUJII Ryo¹, MATSUMOTO Ayumu², FUKUMURO Naoki², YAE Shinji² (1. 兵庫県立大工（院生）、2. 兵庫県立大工)

Keywords:

無電解置換析出,無電解Ni-Pめっき,光電気化学,シリコンカーバイド,パワーデバイス

次世代半導体材料としてSiCが注目されている．本研究では，無電解プロセスのみでSiC基板上に金属電極を形成することを目的とし，Pd微粒子の無電解置換析出およびこれを触媒とした無電解Ni-Pめっき膜の形成を試みた．