[G] Microstructure Observations and Analyses

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)

[44] EBSD測定とFIB/(S)TEM観察法によるβ-Ga₂O₃基板の加工損傷層の評価

*TANAKA Koji¹, ITO Toshimitsu² (1. 産総研　電池技術研究部門、2. 産総研　電子光技術研究部門)

Keywords:

FZ法,β-Ga₂O₃,加工損傷層,EBSD,FIB/STEM

FZ法により作製されたβ-Ga₂O₃基板の研磨時に導入される加工損傷を、（高分解能）EBSD測定とFIB/(S)TEM観察法により評価した結果を発表する。