[G] 組織・観察・分析

13:00 〜 13:15

[44] EBSD測定とFIB/(S)TEM観察法によるβ-Ga₂O₃基板の加工損傷層の評価

*田中 孝治¹、伊藤 利充² (1. 産総研　電池技術研究部門、2. 産総研　電子光技術研究部門)

キーワード：

FZ法、β-Ga₂O₃、加工損傷層、EBSD、FIB/STEM

FZ法により作製されたβ-Ga₂O₃基板の研磨時に導入される加工損傷を、（高分解能）EBSD測定とFIB/(S)TEM観察法により評価した結果を発表する。