[P] 5.材料化学

12:30 PM - 2:30 PM JST(3:30 AM - 5:30 AM UTC)

[P120] サーファクタント・クリスタライゼーション法を用いたGe薄膜の結晶化

*HIROTA Ryuto¹, TAUCHI Kohtaroh¹, MATSUZAWA Riku¹, KYUNO Kentaro¹ (1. 芝浦工大)

Keywords:

薄膜,半導体,結晶,電気特性,スパッタリング

金属触媒で被覆した加熱基板上にGeをスパッタすることでGe薄膜の低温結晶化を試み、結晶化を確認した。また電流電圧特性の測定を行ったところ、抵抗変化現象を示すことが分かった。