[P] 5.材料化学

12:30 〜 14:30

[P120] サーファクタント・クリスタライゼーション法を用いたGe薄膜の結晶化

*廣田 隆人¹、田内 康太郎¹、松澤 陸¹、弓野 健太郎¹ (1. 芝浦工大)

キーワード：

薄膜、半導体、結晶、電気特性、スパッタリング

金属触媒で被覆した加熱基板上にGeをスパッタすることでGe薄膜の低温結晶化を試み、結晶化を確認した。また電流電圧特性の測定を行ったところ、抵抗変化現象を示すことが分かった。