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[P151]Ni-Al融体表面を反応場とするAlNの結晶成長

*Kanbara Arata1, Adachi Masayoshhi1, Fukuyama Hiroyuki1 (1. 東北大学 多元研)

Keywords:

結晶成長,窒化アルミニウム,Ni-Alフラックス

AlNはAlGaN系深紫外LEDの基板材料として最適である.しかしながら,安価なバルクAlN単結晶作製法は確立されていない.本研究ではNi-Alフラックスを用いたバルクAlN結晶の育成法の開発を行っている.