講演情報

15:00 〜 17:00

[P151]Ni-Al融体表面を反応場とするAlNの結晶成長

*神原新¹、安達正芳¹、福山博之¹ (1. 東北大学　多元研)

結晶成長、窒化アルミニウム、Ni-Alフラックス

AlNはAlGaN系深紫外LEDの基板材料として最適である．しかしながら，安価なバルクAlN単結晶作製法は確立されていない．本研究ではNi-Alフラックスを用いたバルクAlN結晶の育成法の開発を行っている．