[P] P28~P33

[P28] Non-destructive evaluation of the residual elastic strain Si ions irradiated 4H-SiC

*Masaya SENDA¹, Subing Yang¹, Tamaki Shibayama¹, Yuki Nakagawa¹, Yasunori Hayashi², Tatuya Hinoki² (1. Fac. Eng., Hokkaido Univ., 2. IAE, Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC,イオン照射,EBSD,ラマン分光,残留弾性ひずみ

Siイオン照射によって4H-SiC単結晶基板に生じる残留弾性ひずみの非破壊評価をEBSDなどで行い、過去に実施した低エネルギーHeイオン照射の結果と比較することで、照射イオン種や照射量の依存性について評価した。