講演情報
[P28]Siイオン照射された4H-SiCにおける残留弾性ひずみの非破壊評価
*千田 雅也1、Yang Subing1、柴山 環樹1、中川 祐貴1、林 慶知2、檜木 達也2 (1. 北大工、2. 京大エネ研)
キーワード：
SiC、イオン照射、EBSD、ラマン分光、残留弾性ひずみ
Siイオン照射によって4H-SiC単結晶基板に生じる残留弾性ひずみの非破壊評価をEBSDなどで行い、過去に実施した低エネルギーHeイオン照射の結果と比較することで、照射イオン種や照射量の依存性について評価した。