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[P128]Crystallization process of Ge using Au ultra-thin film

*TAUCHI Kohtaroh¹, KYUNO Kentaro² (1. Shibaura Institute of Technology, 2. Shibaura Insittute of Technology)

薄膜,半導体,結晶成長,トランジスタ

Ge上にAu超薄膜を成膜後、熱処理を行いGeを結晶化させた。Geの連続薄膜が得られトランジスタ特性を測定した結果、p-channel型の挙動を示した。この手法はMIC法より超薄膜デバイス作製の可能性が高いと推察される。