日本金属学会 2020年春期(第166回)講演大会
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[P128]
Au超薄膜を用いたGe結晶化プロセスの検討
*田内 康太郎
1
、弓野 健太郎
2
(1. 芝浦工業大学(学生)、2. 芝浦工業大学)
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キーワード:
薄膜、半導体、結晶成長、トランジスタ
Ge上にAu超薄膜を成膜後、熱処理を行いGeを結晶化させた。Geの連続薄膜が得られトランジスタ特性を測定した結果、p-channel型の挙動を示した。この手法はMIC法より超薄膜デバイス作製の可能性が高いと推察される。
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