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2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[266]Preparation of sulfur doped Vanadium oxide thin films by multi-step chemical vapor deposition process and their electrical transport property

*Akira HIRAO¹, Mahito YAMAMOTO², Yutaka WAKAYAMA³, Hidekazu TANAKA⁴ (1. Sanken, Osaka Univ., 2. Kansai Univ., 3. NIMS, 4. Sanken, Osaka Univ.)

強相関電子系,物性制御,陰イオン置換

酸化バナジウムの物性制御においては陰イオンの置換による物性制御例はほとんど研究されていない。本研究ではＶ_２Ｏ_３薄膜を前駆体として、硫黄ドーピング及びＶＳ_２への転換の可能性について報告する。