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1:00 PM - 2:30 PM JST(4:00 AM - 5:30 AM UTC)

[P11]Bulk Single Crystal Formation of InSb Based Dilute Magnetic Semiconductor from Melt
by Using Melt Droplet Solidification Process.

*Hagiri Sota¹, Nagayama Katsuhisa² (1. Shibaura Institute of Technology (master), 2. Shibaura Institute of Technology (Supervisor))

半導体材料,結晶成長,熱処理,希薄磁性半導体

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体InSbと結晶構造が近い単結晶Siウエハ（111）面上で液滴溶融凝固させ，InSb系希薄磁性半導体のバルク単結晶創製に対する有効性と最適熱処理条件について解析することを目的とした．