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1:00 PM - 1:40 PM JST(4:00 AM - 4:40 AM UTC)

[S8.1]Detection and analysis of dislocations in wide bandgap semiconductor crystals

*Yukari Ishikawa¹, Yongzhao Yao¹, Yoshihiro Sugawara¹, Koji Sato¹, Daisaku Yokoe¹ (1. Japan Fine Ceramics Center)

4H-SiC,GaN,β-Ga₂O₃,転位,エッチング,大角度収束電子線回折,Ｘ線トポグラフィー,多光子励起顕微鏡

ワイドバンドギャップ結晶の転位検出・評価法である、エッチング、Ｘ線トポグラフィー、TＥＭ解析法の一種である大角度集束電子線回折、電子線誘起電流法、多光子励起顕微鏡法の適用例と新展開について紹介する。