Presentation Information

1:40 PM - 2:20 PM JST(4:40 AM - 5:20 AM UTC)

[S8.2]Defect characterization in widegap semiconductors using multiphoton microscope

*Tomoyuki Tanikawa¹, Tomoka Nishikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1. Osaka University)

欠陥評価,貫通転位,ワイドギャップ半導体,多光子励起フォトルミネッセンス

多光子顕微鏡を用いることでワイドギャップ半導体の欠陥を非破壊で評価解析することができ、近年注目を集めている。本講演ではその原理や観察・解析事例を概説する。