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[3]Formation of α-Pt2Si at the Pt/SiOx interface induced by electron irradiation
*Kazuhisa SATO1, Hirotaro MORI1 (1. Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)
電子励起を利用したPt/a-SiOx界面でのα-Pt2Si形成に及ぼす界面ならびに電子照射温度の影響について検討した。界面領域が多い試料ほどシリサイド形成反応が速いこと、90Kでも反応が進行することが明らかとなった。