[3] 電子照射によるPt/SiO<sub>x</sub>界面でのα-Pt<sub>2</sub>Si形成 | 日本金属学会2022年春期(第170回)講演大会

日本金属学会2022年春期(第170回)講演大会

2022年3月15日〜3月22日東京大学駒場キャンパス、ポスターセッション(オンライン開催)

2022年3月15日〜3月22日東京大学駒場キャンパス、ポスターセッション(オンライン開催)

*佐藤和久¹、森博太郎¹(1. 阪大電顕センター)

電子照射、電子励起、界面反応、化学結合、原子移動

電子励起を利用したPt/a-SiO_x界面でのα-Pt₂Si形成に及ぼす界面ならびに電子照射温度の影響について検討した。界面領域が多い試料ほどシリサイド形成反応が速いこと、90Kでも反応が進行することが明らかとなった。