[G] 分析・解析・評価

13:45 〜 14:00

[3] 電子照射によるPt/SiO_x界面でのα-Pt₂Si形成

*佐藤 和久¹、森 博太郎¹ (1. 阪大電顕センター)

キーワード：

電子照射、電子励起、界面反応、化学結合、原子移動

電子励起を利用したPt/a-SiO_x界面でのα-Pt₂Si形成に及ぼす界面ならびに電子照射温度の影響について検討した。界面領域が多い試料ほどシリサイド形成反応が速いこと、90Kでも反応が進行することが明らかとなった。