[39]Measurement of electrical resistance of metals and silicon under laser irradiation
*Yosuke IWAMOTO1, Eiichi WAKAI1, Yuki NAKAGAWA2, Tamaki SHIBAYAMA2(1. JAEA, 2. Hokkaido Univ.)
パルスレーザー照射中における銅、アルミニウム、及びシリコンの電気抵抗を測定した結果、金属は照射量の増加に伴い、物質内部に形成される欠陥量の増加が推定された。一方、シリコンでは電気抵抗は減少した。
