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2:10 PM - 2:25 PM JST(5:10 AM - 5:25 AM UTC)

[246]Electrical transport mechanism of Hf-O-Te amorphous thin films

*Shogo HATAYAMA¹, Yuta SAITO^1,2, Noriyuki UCHIDA^1,2 (1. AIST, 2. AIST-NEC Quantum Technology Cooperative Research Laboratory)

アモルファス,セレクタ,相変化,非線形I-V,遷移金属

絶縁体であるHfO2を半金属のHfTe2 と組み合わせ、その電気伝導機構を変調することでセレクタ機能の発現を目論み、Hf-O-Te系アモルファス薄膜について伝導機構の評価およびセレクタ機能発現の可否を調査した。