講演情報

14:10 〜 14:25

[246]Hf-O-Te系アモルファス薄膜の電気伝導機構

*畑山祥吾¹、齊藤雄太^1,2、内田紀行^1,2 (1. 産総研、2. 産総研-NEC 量子活用テクノロジー連携研究ラボ)

アモルファス、セレクタ、相変化、非線形I-V、遷移金属

絶縁体であるHfO2を半金属のHfTe2 と組み合わせ、その電気伝導機構を変調することでセレクタ機能の発現を目論み、Hf-O-Te系アモルファス薄膜について伝導機構の評価およびセレクタ機能発現の可否を調査した。