[G] Electric/Electronic/Optical Materials

2:40 PM - 2:55 PM JST(5:40 AM - 5:55 AM UTC)

[248] Resistance to oxidation of Ge-doped Fe₃O₄ thin films using FeO for sputtering target

*Seishi ABE¹ (1. Research Institute for Electromagnetic Materials)

Keywords:

薄膜,鉄酸化物,ドーピング,耐酸化性,無機材料

鉄過剰の組成を有する表記の薄膜について検討を行った。その結果、2.4at.%のGeを添加した当該薄膜において最も良好な耐酸化性を発現することが明らかになった。