[G] Electric/Electronic/Optical Materials

4:20 PM - 4:35 PM JST(7:20 AM - 7:35 AM UTC)

[254] Fabrication of InSe photodiodes

*Itsuki Tauchi¹, Chao Tang², Seishi Abe³, Tadao Tanabe¹ (1. 芝浦工業大学、2. 東北大学、3. 公益財団法人電磁材料研究所)

Keywords:

層状半導体,半導体デバイス,光検知器,フレキシブル

層状半導体であるInSeとプリンテッドエレクトロニクスを組み合わせることで、フレキシブルな半導体デバイスの作製プロセスの確立及び、その電気的特性の評価について。