[G] 電気・電子・光関連材料

16:20 〜 16:35

[254] 層状半導体InSeによる光検出デバイス作製

*田内 一輝¹、唐 超²、阿部 世嗣³、田邉 匡生¹ (1. 芝浦工業大学、2. 東北大学、3. 公益財団法人電磁材料研究所)

キーワード：

層状半導体、半導体デバイス、光検知器、フレキシブル

層状半導体であるInSeとプリンテッドエレクトロニクスを組み合わせることで、フレキシブルな半導体デバイスの作製プロセスの確立及び、その電気的特性の評価について。