[J] Physico-chemical properties of high temperature melts

1:50 PM - 2:10 PM JST(4:50 AM - 5:10 AM UTC)

[J19] Investigation of the effect of the solvent component on bunching behavior of 4H-SiC (000-1) in Si based solvents at 1873 K by interface reconstruction

*Hideto AOKI¹, Didier CHAUSSENDE², Sakiko KAWANISHI³, Takeshi MITANI⁴, Takeshi YOSHIKAWA¹ (1. The Univ. of Tokyo, 2. Grenoble-Alpes Univ.-CNRS, 3. Tohoku Univ., 4. AIST)

Keywords:

4H-SiC,溶液成長,ステップバンチング,固液界面のステップ構造,界面再構成

Siと種々の元素の二元系溶媒で、界面再構成法によるSi基合金中4H-SiC (000-1)の1873Kにおけるステップバンチング挙動の組成依存性の調査を行い、溶液成長法におけるバンチング挙動の溶媒組成依存性の理解を深めた。