講演情報
[J19]界面再構成法によるSi基合金中4H-SiC (000-1)面の1873 Kにおけるバンチング挙動の組成依存性の調査
*青木 秀人1、Chaussende Didier2、川西 咲子3、三谷 武志4、吉川 健1 (1. 東京大学、2. グルノーブル大学、3. 東北大学、4. 産業技術総合研究所)
キーワード：
4H-SiC、溶液成長、ステップバンチング、固液界面のステップ構造、界面再構成
Siと種々の元素の二元系溶媒で、界面再構成法によるSi基合金中4H-SiC (000-1)の1873Kにおけるステップバンチング挙動の組成依存性の調査を行い、溶液成長法におけるバンチング挙動の溶媒組成依存性の理解を深めた。