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4:35 PM - 4:55 PM JST(7:35 AM - 7:55 AM UTC)

[S3.17]Polarized light observation of threading edge dislocations in power device SiC substrates

Shunta Harada¹, *Kenta Murayama² (1. Nagoya University, 2. Mipox Corporation)

偏光観察,SiC,パワーデバイス,転位

次世代パワーデバイス材料であるSiCでは、結晶中の転位がデバイスの性能や歩留りに影響を与えるため、非破壊検査手法が求められている。本研究では、偏光観察により結晶中の転位の同定が可能であることを解明した。