講演情報

16:35 〜 16:55

[S3.17]偏光観察によるパワーデバイス SiC 基板中の貫通刃状転位の観察

原田俊太¹、*村山健太² (1. 名古屋大学、2. Mipox株式会社)

偏光観察、SiC、パワーデバイス、転位

次世代パワーデバイス材料であるSiCでは、結晶中の転位がデバイスの性能や歩留りに影響を与えるため、非破壊検査手法が求められている。本研究では、偏光観察により結晶中の転位の同定が可能であることを解明した。