[P] P48~P52

1:00 PM - 2:30 PM JST(4:00 AM - 5:30 AM UTC)

[P52] Preparation of polycrystalline n-type Ge thin film using AgSb alloy

*Yuna HORIBA¹, Kentato KYUNO^1,2 (1. Shibaura Institute of Technology, 2. SIT International Research Center for Green Electronics)

Keywords:

半導体,薄膜,結晶成長

IoT技術の普及により高性能半導体の成膜技術が求められている。低温でp型とn型のGe薄膜が揃えば様々なフレキシブルデバイスの実現が可能となる。本研究ではAgSb合金を用いたn型のGe結晶薄膜の実現を目的とした。