[P] P48~P52

13:00 〜 14:30

[P52] AgSb合金を利用した多結晶n型Ge薄膜の作成

*堀場 友菜¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工業大、2. 芝浦工業大学グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：

半導体、薄膜、結晶成長

IoT技術の普及により高性能半導体の成膜技術が求められている。低温でp型とn型のGe薄膜が揃えば様々なフレキシブルデバイスの実現が可能となる。本研究ではAgSb合金を用いたn型のGe結晶薄膜の実現を目的とした。