[P] P153~P177

3:00 PM - 4:30 PM JST(6:00 AM - 7:30 AM UTC)

[P172] XANES analysis of nitride Sc_xGa_1-xN solid solutions prepared by sputtering method

*Yu Ikemoto¹, Kenji Hirata², Hiroyuki Setiyama³, Shinya Ohmagari², Sri　Ayu Angaraini², Morito Akiyama², Hiroshi Yamada^1,2, Masato Uehara^1,2 (1. Kyushu Univ., 2. AIST, 3. SAGA-LS)

Keywords:

誘電体,XANES,第一原理計算

配位構造と圧電性能には関係があると考えられている。本研究では、ScやGa周辺の対称性の変化を解明するために、ScGaN薄膜に形成する可能性のある3つの結晶構造モデルの計算スペクトルと実験結果を比較し、考察した。