講演情報
[P172]スパッタリング法により作製したScxGa1-xN過飽和固溶体のXANES解析
*池本 勇1、平田 研二2、瀬戸山 寛之3、大曲 新矢2、Angaraini Sri Ayu2、秋山 守人2、山田 浩志1,2、上原 雅人1,2 (1. 九大総理工（院生）、2. 産総研、3. 九州シンクロトロン光研究センター)
キーワード：
誘電体、XANES、第一原理計算
配位構造と圧電性能には関係があると考えられている。本研究では、ScやGa周辺の対称性の変化を解明するために、ScGaN薄膜に形成する可能性のある3つの結晶構造モデルの計算スペクトルと実験結果を比較し、考察した。