[P] P153~P177

3:00 PM - 4:30 PM JST(6:00 AM - 7:30 AM UTC)

[P174] Effect of stacking structure on crystallization of HfZrO₂ amorphous layered films

*Kazuma NAGAI¹, Keito TAKASE¹, Manabu ISHIMARU², Noriyuki UCHIDA³, Shinji MIGITA³ (1. Kyushu Institute of Technology, 2. Kyushu Institute of Technology, 3. Agency of Industrial Science and Technology)

Keywords:

HfO₂,ZrO₂,強誘電性,アモルファス,結晶化

準安定HfZrO₂直方晶は新規強誘電体材料として注目されている。本研究では、非晶質HfO₂とZrO₂を交互に堆積したラミネート膜を作製し、熱処理に伴う構造変化をX線回折および透過電子顕微鏡により調査した。