[G] Semiconductor and terahertz light

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[300] Influence of annealing conditions on physical properties of
sputter-deposited VO₂ thin films

*Shio SUGIURA¹, Masaaki BABA¹, Itsuki SHINOHARA¹, Shogo HATAYAMA², Yuta SAITO², Noriyuki UCHIDA², Masatoshi TAKEDA¹ (1. Nagaoka Univ. of Tech., 2. AIST)

Keywords:

金属絶縁体相転移,スパッタリング法,二酸化バナジウム

VO₂は68℃付近で金属－絶縁体相転移を示す材料である．本研究では，スパッタ法で成膜したアモルファスVO₂を熱処理によって結晶化させる．この熱処理条件が薄膜の物性に及ぼす影響を調査した．