[P] P112~P121

4:30 PM - 6:00 PM JST(7:30 AM - 9:00 AM UTC)

[P114] Morphology and characteristic of CrN thin films simultaneously deposited on different substrate materials

*Takumi SUGAI¹, Tsuneo SUZUKI¹ (1. Nagaoka Univ. Tech)

Keywords:

遷移金属窒化物,窒化クロム,パルスレーザー堆積法,エピタキシャル成長,電気伝導性,電子相関

MgO(001)単結晶とSi(100)単結晶の基板上にCrNを同時成膜し、
Si上ではMgO上のCrNと同様な物性を得られるか確認することを目的とした。
冷凍機を使用し、5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を4端子法で測定した。