講演情報
[P114]異なる基板材料に同時成膜したCrN薄膜の組成と物性
*菅井 匠1、鈴木 常生1 (1. 長岡技大)
キーワード：
遷移金属窒化物、窒化クロム、パルスレーザー堆積法、エピタキシャル成長、電気伝導性、電子相関
MgO(001)単結晶とSi(100)単結晶の基板上にCrNを同時成膜し、
Si上ではMgO上のCrNと同様な物性を得られるか確認することを目的とした。
冷凍機を使用し、5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を4端子法で測定した。
Si上ではMgO上のCrNと同様な物性を得られるか確認することを目的とした。
冷凍機を使用し、5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を4端子法で測定した。