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4:30 PM - 6:00 PM JST(7:30 AM - 9:00 AM UTC)

[P79]Fabrication of n-type Ge crystal thin films by MIC method using AgSb alloy and thickness dependence of electrical properties

*Takumi OKUBO¹, Kentaro KYUNO^1,2 (1. Shibaura Institute of Tecnology, 2. SIT International Research Center for Green Electronics)

半導体材料

本研究では触媒であるAgにSbを添加し、低温結晶化法であるMIC法でGeを結晶化し、n型化を図った。またGeの膜厚による膜構造及び薄膜をチャネル層としたトランジスタを作製し電気特性の変化を調べることを目的とした。