[P] P76~P80

16:30 〜 18:00

[P79] AgSb合金を用いたMIC法によるn型Ge結晶薄膜の作製と電気特性の膜厚依存性

*大久保 拓海¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工大　、2. 芝浦工大グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：

半導体材料

本研究では触媒であるAgにSbを添加し、低温結晶化法であるMIC法でGeを結晶化し、n型化を図った。またGeの膜厚による膜構造及び薄膜をチャネル層としたトランジスタを作製し電気特性の変化を調べることを目的とした。