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1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[219]Feasibility study of phase change random access memory with Cr-Mn-Te ternary polymorphic film

*Mihyeon Kim¹, Yi Shuang², Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1. Sch. of Eng. ,Tohoku Univ., 2. AIMR, Tohoku Univ.)

polymorphic change,thin film,phase change random access memory,Cr-Mn-Te

Crを添加したCr-Mn-Te三元系薄膜は、二元系MnTe薄膜とは異なる多形変化挙動を示すことがわかってきている。本研究では、Cr-Mn-Teを用いた不揮発性メモリ特性を評価する。