講演情報
[219]Cr-Mn-Te多形変化薄膜の不揮発性相変化メモリへの応用可能性
*金 美賢1、双 逸2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1. 東北大工、2. 東北大学材料科学高等研究所)
キーワード：
polymorphic change、thin film、phase change random access memory、Cr-Mn-Te
Crを添加したCr-Mn-Te三元系薄膜は、二元系MnTe薄膜とは異なる多形変化挙動を示すことがわかってきている。本研究では、Cr-Mn-Teを用いた不揮発性メモリ特性を評価する。