[G] Nuclear Materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[263] Behavior of point defects under spot-ion irradiation in semiconductor materials

*Naoto Oishi¹, Takahiro Ueda¹, Noriko Nitta¹ (1. Kochi University of Technology)

単結晶Ge、GaSb基板に対してFIBを用いたイオンビーム照射を行い、基板表面に微細構造を作製した。これら微細構造の形成過程を議論することにより、イオン照射下における点欠陥挙動を検討した。