[G] 原子力材料

10:00 〜 10:15

[263] 半導体材料における微小領域中のイオン照射欠陥挙動

*大石 脩人¹、上田 貴大¹、新田 紀子¹ (1. 高知工科大学)

キーワード：

イオンビーム、表面微細構造、照射損傷、Ge、GaSb

単結晶Ge、GaSb基板に対してFIBを用いたイオンビーム照射を行い、基板表面に微細構造を作製した。これら微細構造の形成過程を議論することにより、イオン照射下における点欠陥挙動を検討した。