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1:40 PM - 1:55 PM JST(4:40 AM - 4:55 AM UTC)

[S8.6]In situ biasing DPC STEM observation of electric field in a p-n junction depletion layer

*Yoshifumi KOJIMA¹, Satoko Toyama¹, Takehito Seki^1,2, Yuichi Ikuhara^1,3, Naoya Shibata^1,3 (1. UTokyo, 2. JST PRESTO, 3. JFCC)

走査透過電子顕微鏡法,DPC STEM,その場観察,電子デバイス

微分位相コントラスト走査透過電子顕微鏡法(DPC STEM)による動作状態のデバイス材料局所電場・電荷挙動解析手法の開発を目的として、pn接合空乏層電場応答の観察および定量解析を実際に行った。