Presentation Information

11:10 AM - 11:50 AM JST(2:10 AM - 2:50 AM UTC)

[S6.3][Keynote Lecture] Rapid liquid-phase epitaxial growth of SiC using Gibbs-Thomson solvent and an attempt at microstructure crystal growth using a focused laser

*Takeshi YOSHIKAWA¹, Yasunari KOEDA¹, Yusuke ASANO¹, Masashi NAKAMOTO¹, Masanori SUZUKI¹ (1. Osaka Univ.)

Gibbs-Thomson溶媒,微細構造,溶液成長,SiC

Gibbs-Thomson 効果により過飽和を創出する微粒子を分散溶媒"Gibbs-Thomson溶媒"を用いたSiC結晶の新たな高速液相エピタキシャル成長法と、それを集光レーザーと組み合わせたSiCの微細構造成長の検討を報告する。